Из какого материала изготовлена база транзистора марка которого начинается с цифры 2

Добавил пользователь Валентин П.
Обновлено: 20.09.2024

Раритет. Маломощный высокочастотный транзистор с n-p-n структурой: КТ315Б и КТ315В. Его p-n-p аналог - КТ361.
Расположение выводов слева направо: Э-К-Б (эмиттер, коллектор, база).
К - кремниевый (есть германиевые, арсенид галлия);
Т - биполярный транзистор (есть полевые - );

Первая буква: Г, К, А, И или цифра 1, 2, 3, 4 - указывает полупроводниковый материал и температурные условия работы транзистора. или - германий; или - кремний; или - арсенид галлия, или - соединения индия. Цифра вместо буквы указывают при повышенном температурном режиме работы: для германия - при температуре выше 60, кремния - при температуре выше 85 градусов.

Трёхзначное число от 101 до 999 - порядковый заводской номер разработки и назначение транзистора. Эти параметры даны в справочнике по транзисторам.

Буквы от А до К - разновидность транзисторов данной серии.

"Динамик" - это эмблема завода-изготовителя: "Элькор" (Нальчик). Есть похожий на "колесо" - "Кварцит".
________________________________________________________________
Вот, нашёл только что:

КТ315: цифра - функциональные возможности по рассеиваемой мощности и частотным свойствам: цифры от 1 до 9.

Маломощные транзисторы (макс. рассеиваемая мощность до 3 Ватт):
1 - низкой частоты с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой до 3 МГц;
2 - средней - 3-30 МГЦ;
3 - высокой и сверхвысокой - свыше 30 МГЦ.

Средней мощности - 0,3-1,5 Вт:
4 - НЧ, до 3 МГц;
5 - СЧ, 3-30 МГц;
6 - ВЧ/СВЧ, свыше 30 МГц;

Большой мощности, свыше 1,5 Вт:
7 - НЧ, до 3 МГц;
8 - СЧ, 3-30 МГц;
9 - ВЧ/СВЧ, свыше 30 МГц;
____________________________________
в КТ315 - порядковый номер разработки транзистора, серия.
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И.. -буквы А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И.. -группа прибора (модификация, классификация, подкласс - кто как называет). В качестве классификационной литеры применяются буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э).

- изготовлен в 1990 г. в августе (9208: год/месяц, 0386: месяц/год; иногда указывали розничную цену): маркированы согласно ГОСТ-таблице:

Маркировка наносится на корпус прибора, либо указывается в этикетке и содержит определенную информацию о свойствах транзисторов. Первая цифра (1, 2, 3) или буква, (Г, К, А) маркировки указывает об использовании приборов в аппаратуре специального или широкого применения, а также о полупроводниковом материале кристалла (германий, кремний или арсенид-галлия) . Второй элемент маркировки (буквы Т или П) определяет принадлежность транзистора к биполярным или полевым приборам. Третий элемент маркировки указывает на частотные или мощностные свойства транзисторов — чем значение цифры выше, начиная с 1 до 9, тем больше мощность и выше частотный диапазон. Так, маломощные транзисторы с рассеиваемой мощностью до 0,3 Вт обозначены цифрами третьего элемента 1, 2 и 3, соответственно, низкой (до 3 МГц) , средней (до 30 МГц) , высокой и сверхвысокой (свыше 30 МГц) граничной частоты. Аналогично подразделены по граничной частоте транзисторы средней рассеиваемой мощности (от 0,3 Вт до 1,5 Вт) , третий элемент маркировки которых соответственно обозначен цифрами 4, 5 и 6. И, наконец, третий элемент маркировки транзисторов большой мощности (более 1,5 Вт) обозначен цифрами 7, 8 и 9 в зависимости от граничной частоты.

Цифры четвертого, пятого, шестого и седьмого элемента маркировки указывают на порядковый номер разработки прибора. И, наконец, последний элемент маркировки (буква от А до К) обозначает деление приборов данного типа на группы (подтипы) по классификационным параметрам.

Бескорпусные приборы отличаются маркировкой, в которой через дефис добавляется цифра, характеризующая их конструктивное исполнение:
1-е гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки) ;
2-е гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке) ;
3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки) ;
4-е жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке) ;
5-е контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов;
6-е контактными площадками на кристаллодержателе (подложке) и без выводов.

В последние годы широкое распространение получили транзисторы, герметизированные пластмассой, в том числе и достаточно малогабаритные, что затруднило размещать маркировку непосредственно на корпусе. Поэтому поставка таких приборов производится в таре, в которой помещается паспорт или этикетка с указанием габаритного чертежа, маркировки, полярности и схемы расположения электродов транзистора. Иногда в качестве ключа к нахождению соответствующего электрода служит скос на конце внешнего вывода, а в других случаях на корпус наносится цветная точка. Цвет точки разными поставщиками выбирается самостоятельно и не лимитируется. Расположение цветной точки приводится в паспорте или этикетке, а также на габаритном чертеже.

кремниевый биполярный высокочастотный малой мощности транзистор, серия 15, К (Г) - материал полупроводника кремний ( германий) , в армии 1(2), Т (П) тип транзистора -биполярный (полевой) , первая цифра - 1,2,3 малой мощности низко- средне- высокочастотный соответственно, 4,5,6 - средней мощности, 7,8,9 - большой мощности. две последние цифрры - номер сери, буквы после цифр - модификация

Полупроводниковые транзисторы бывают двух видов: биполярные и полевые.
В отличие от полевых транзисторов биполярные получили наиболее широкое применение в радиоэлектронике, а чтобы эти транзисторы как-то отличать друг от друга, биполярные принято называть просто — транзисторами.

1. Устройство и обозначение биполярного транзистора.

Схематично биполярный транзистор можно представить в виде пластины полупроводника с чередующимися областями разной электропроводности, которые образуют два p-n перехода. Причем обе крайние области обладают электропроводностью одного типа, а средняя область электропроводностью другого типа, и где каждая из областей имеет свой контактный вывод.

Если в крайних областях полупроводника преобладает дырочная электропроводность, а в средней области электронная, то такой полупроводниковый прибор называют транзистором структуры p-n-p.

А если в крайних областях преобладает электронная электропроводность, а в средней дырочная, то такой транзистор имеет структуру n-p-n.

А теперь возьмем схематичную часть транзистора и прикроем любую крайнюю область, например, область коллектора, и посмотрим на результат: у нас остались открытыми область базы и эмиттера, то есть получился полупроводник с одним p-n переходом или обычный полупроводниковый диод. О диодах можно почитать здесь.

Если же мы прикроем область эмиттера, то останутся открытыми области базы и коллектора — и также получается диод.

Отсюда возникает вывод, что биполярный транзистор можно представить в виде двух диодов с одной общей областью, включенных навстречу друг другу. При этом общая (средняя) область называется базой, а примыкающие к базе области коллектором и эмиттером. Это и есть три электрода транзистора.

Примыкающие к базе области делают неодинаковыми: одну из областей изготавливают так, чтобы из нее наиболее эффективно происходил ввод (инжекция) носителей заряда в базу, а другую область делают таким-образом, чтобы в нее эффективно осуществлялся вывод (экстракция) носителей заряда из базы.

область транзистора, назначением которой является ввод (инжекция) носителей зарядов в базу называется эмиттером, и соответствующий p-n переход эмиттерным.

область транзистора, назначением которой является вывод (экстракция) носителей из базы, называется коллектором, и соответствующий p-n переход коллекторным.

То есть получается, что эмиттер вводит электрические заряды в базу, а коллектор их забирает.

Различие в обозначениях транзисторов разных структур на принципиальных схемах заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в p-n-p транзисторах она обращена в сторону базы, а в n-p-n транзисторах – от базы.

2. Технология изготовления биполярных транзисторов.

Технология изготовления транзисторов ни чем не отличается от технологии изготовления диодов. Еще в начальный период развития транзисторной техники биполярные транзисторы делали только из германия методом вплавления примесей, и такие транзисторы называют сплавными.

Берется кристалл германия и в него вплавляются кусочки индия.
Атомы индия диффузируют (проникают) в тело кристалла германия, образуя в нем две области p-типа – коллектор и эмиттер. Между этими областями остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника n-типа, которую именуют базой. А чтобы защитить кристалл от влияния света и механического воздействия его помещают в металлостеклянный, металлокерамический или пластмассовый корпус.

На картинке ниже показано схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора, собранного на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу диска – ее наружный проволочный вывод.

Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проводникам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Металлический колпак защищает прибор от влияния света и механических повреждений. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные германиевые транзисторы из серии МП37 — МП42.

С появлением новых технологий научились обрабатывать кристаллы кремния, и уже на его основе были созданы кремниевые транзисторы, получившие наиболее широкое применение в радиотехнике и на сегодняшний день практически полностью вытеснившие германиевые приборы.

Кремниевые транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 125ºС), имеют меньшие обратные токи коллектора и эмиттера, а также более высокие пробивные напряжения.

Основным методом изготовления современных транзисторов является планарная технология, а транзисторы, выполненные по этой технологии, называют планарными. У таких транзисторов p-n переходы эмиттер-база и коллектор-база находятся в одной плоскости. Суть метода заключается в диффузии (вплавлении) в пластину исходного кремния примеси, которая может находиться в газообразной, жидкой или твердой фазе.

Как правило, коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного кремния, на поверхность которой вплавляют близко друг от друга два шарика примесных элементов. В процессе нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластину кремния.

При этом один шарик образует в пластине тонкую базовую область, а другой эмиттерную. В результате в пластине исходного кремния образуются два p-n перехода, образующие транзистор структуры p-n-p. По такой технологии изготавливают наиболее распространенные кремниевые транзисторы.

Также для изготовления транзисторных структур широко используются комбинированные методы: сплавление и диффузия или сочетание различных вариантов диффузии (двусторонняя, двойная односторонняя). Возможный пример такого транзистора: базовая область может быть диффузионная, а коллектор и эмиттер – сплавные.

Использование той или иной технологии при создании полупроводниковых приборов диктуется различными соображениями, связанными с техническими и экономическими показателями, а также их надежностью.

3. Маркировка биполярных транзисторов.

На сегодняшний день маркировка транзисторов, согласно которой их различают и выпускают на производствах, состоит из четырех элементов.
Например: ГТ109А, ГТ328, 1Т310В, КТ203Б, КТ817А, 2Т903В.

Первый элемент — буква Г, К, А или цифра 1, 2, 3 – характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы транзистора.

1. Буква Г или цифра 1 присваивается германиевым транзисторам;
2. Буква К или цифра 2 присваивается кремниевым транзисторам;
3. Буква А или цифра 3 присваивается транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия.

Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах: германий – выше 60ºС, а кремний – выше 85ºС.

Третий элемент – трехзначное число от 101 до 999 – указывает порядковый заводской номер разработки и назначение транзистора. Эти параметры даны в справочнике по транзисторам.

Четвертый элемент – буква от А до К – указывает разновидность транзисторов данной серии.

Однако до сих пор еще можно встретить транзисторы, на которых стоит более ранняя система обозначения, например, П27, П213, П401, П416, МП39 и т.д. Такие транзисторы выпускались еще в 60 — 70-х годах до введения современной маркировки полупроводниковых приборов. Пусть эти транзисторы устарели, но они все еще пользуются популярностью и применяются в радиолюбительских схемах.

В рамках этой части статьи мы рассмотрели лишь общие методы изготовления транзисторных структур, чтобы начинающему радиолюбителю было легче понять внутреннее устройство транзистора.

На этом мы закончим, а в следующей части проведем несколько опытов и на их основе сделаем практические выводы о работе биполярного транзистора.
Удачи!

а)

в)

2)Каково соотношение между показаниями амперметров, реагирующих на действующее значение тока, один из которых включен в цепь вторичной обмотки трансформатора, а другой - в цепь R_н

3)Каковы показания амперметров, реагирующих на среднее значение тока, включенных, как это указанно в предыдущем вопросе?

Карточка №18.3 (стр 533 - 534)

Трехфазный выпрямитель

1)Какое из указанных соотношений не относится к схеме трехфазного выпрямителя?

2)Возможно ли непосредственное подключение (без трансформатора) трехфазного выпрямителя к зажимам трехфазной сети?

а)Невозможно

в)Это зависит от конкретных условий

Карточка №18.4 ( стр 536 - 537)

Выпрямитель на тиристоре. Стабилизатор напряжения

1)Каково соотношение между прямым и обратным сопротивлениями тиристора при отсутствии управляющих импульсов и напряжении на тиристоре ниже напряжения переключения?

2)Запирается ли тиристор после снятия управляющего импульса?

в)Это зависит от длительности управляющего импульса

Карточка № 18.5 ( стр 540 - 541)

Сглаживающие фильтры. Выпрямление с умножением напряжения

1)Как изменится коэффициент пульсации в схеме с емкостным фильтром, если R_нуменьшиться?

а) k_п не изменится

2)Как повлияет увеличение частоты питающего напряжения на работу емкостного сглаживающего фильтра?

а)Сглаживание улучшится

б)Сглаживание ухудшится

в)Сглаживание не изменится

3)Каким должно быть соотношение между индуктивным сопротивлением дросселя фильтра и емкостным сопротивлением конденсатора, чтобы сглаживание было хорошим? (f- частота выпрямленного напряжения)

3)Выберите правильное соотношение между активным сопротивлением дросселя R_др и сопротивлением нагрузки R_н

Курс повышения квалификации

Охрана труда

Курс профессиональной переподготовки

Охрана труда

Сейчас обучается 253 человека из 55 регионов

Курс профессиональной переподготовки

Пожарная безопасность

Найдите материал к любому уроку, указав свой предмет (категорию), класс, учебник и тему:

5 820 884 материала в базе

Другие материалы

Вам будут интересны эти курсы:

Оставьте свой комментарий

22.09.2016 12598
DOCX 85.3 кбайт
53 скачивания
Рейтинг: 5 из 5
Оцените материал:

Настоящий материал опубликован пользователем Даровских Наталья Игоревна. Инфоурок является информационным посредником и предоставляет пользователям возможность размещать на сайте методические материалы. Всю ответственность за опубликованные материалы, содержащиеся в них сведения, а также за соблюдение авторских прав несут пользователи, загрузившие материал на сайт

Если Вы считаете, что материал нарушает авторские права либо по каким-то другим причинам должен быть удален с сайта, Вы можете оставить жалобу на материал.

Автор материала

40%

Учителя о ЕГЭ: секреты успешной подготовки

Время чтения: 11 минут

В Госдуме предложили продлить майские праздники до десяти дней

Время чтения: 1 минута

Роспотребнадзор смягчил меры по COVID-19 в школах

Время чтения: 2 минуты

Милонов предложил вернуть пятилетнее высшее образование

Время чтения: 1 минута

Минпросвещения призвало регионы следить за ценами на продукты для школьного питания

Время чтения: 1 минута

Всероссийский конкурс на лучшую поделку из вторсырья пройдет в детсадах

Время чтения: 2 минуты

Минпросвещения подготовило проект приказа о минимальных баллах ЕГЭ

Время чтения: 1 минута

Подарочные сертификаты

Ответственность за разрешение любых спорных моментов, касающихся самих материалов и их содержания, берут на себя пользователи, разместившие материал на сайте. Однако администрация сайта готова оказать всяческую поддержку в решении любых вопросов, связанных с работой и содержанием сайта. Если Вы заметили, что на данном сайте незаконно используются материалы, сообщите об этом администрации сайта через форму обратной связи.

Все материалы, размещенные на сайте, созданы авторами сайта либо размещены пользователями сайта и представлены на сайте исключительно для ознакомления. Авторские права на материалы принадлежат их законным авторам. Частичное или полное копирование материалов сайта без письменного разрешения администрации сайта запрещено! Мнение администрации может не совпадать с точкой зрения авторов.

Отсюда получается, что один диод образован выводами, например, базы и коллектора, а другой диод выводами базы и эмиттера. Тогда нам будет достаточно проверить прямое и обратное сопротивление этих диодов, и если они исправны, значит, и транзистор работоспособен. Все очень просто.

Начнем с транзисторов структуры (проводимость) p-n-p. На принципиальных схемах структура транзисторов обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Если стрелка направлена к базе, значит это структура p-n-p, а если от базы, значит это транзистор структуры n-p-n. Смотрите рисунок выше.

Минусовым щупом (черного цвета) садимся на вывод базы, а плюсовым (красного цвета) поочередно касаемся выводов коллектора и эмиттера — так называемые коллекторный и эмиттерный переходы. Если переходы целы, то их прямое сопротивление будет находиться в пределах 500 – 1200 Ом.

Теперь проверяем обратное сопротивление коллекторного и эмиттерного переходов.
Плюсовым щупом садимся на вывод базы, а минусовым касаемся выводов коллектора и эмиттера. На этот раз мультиметр должен показать большое сопротивление на обоих p-n переходах.

Таким способом можно проверять исправность транзистора и на печатной плате, не выпаивая его из схемы.

Конечно, встречаются схемы, где p-n переходы транзистора сильно зашунтированы низкоомными резисторами. Но это редкость. Если при измерении будет видно, что прямое и обратное сопротивление коллекторного или эмиттерного переходов слишком мало, тогда придется выпаять вывод базы.

Исправность транзисторов структуры n-p-n проверяется так же, только уже к базе подключается плюсовой щуп мультиметра.

Вторая распространенная неисправность транзистора – это когда прямое и обратное сопротивления одного из p-n переходов равны нулю или около того. Это говорит о том, что переход пробит, и транзистор не годен.

И тут уважаемый читатель Вы меня спросите: — А где у этого транзистора находится база, коллектор и эмиттер. Я его вообще в первый раз вижу. И будете правы. А ведь действительно, где они? Как их определить? Значит, будем искать.

В первую очередь, нужно определить вывод базы.
Плюсовым щупом мультиметра садимся, например, на левый вывод транзистора, а минусовым касаемся среднего и правого выводов. При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр.

Теперь садимся плюсовым щупом на правый вывод, а минусовым касаемся среднего и левого выводов транзистора.

На рисунке видно, что величина сопротивления между правым-средним и правым-левым выводами одинаковая и составила бесконечность. То есть получается, что мы нашли и измерили обратное сопротивление обоих p-n переходов транзистора. В принципе, уже можно смело утверждать, что вывод базы найден. Он оказался правым. Но нам еще надо определить, где у транзистора коллектор и эмиттер. Для этого измеряем прямое сопротивление переходов. Минусовым щупом садимся на вывод базы, а плюсовым касаемся среднего и левого выводов.

Величина сопротивления на левой ножке транзистора составила 816 Ом – это эмиттер, а на средней 807 Ом – это коллектор.

Запомните! Величина сопротивления коллекторного перехода всегда будет меньше по отношению к эмиттерному. Т.е. вывод коллектора будет там, где сопротивление p-n перехода меньше, а эмиттера, где сопротивление p-n перехода больше.

Отсюда делаем вывод:

1. Транзистор структуры p-n-p;
2. Вывод базы находится с правой стороны;
3. Вывод коллектора в середине;
4. Вывод эмиттера – слева.

А если у Вас остались вопросы, то можно дополнительно посмотреть мой видеоролик о проверке обычных транзисторов мультиметром.

Ну и напоследок надо сказать, что транзисторы бывают малой, средней мощности и мощные. Так вот, у транзисторов средней мощности и мощных, вывод коллектора напрямую связан с корпусом и находится в середине между базой и эмиттером. Такие транзисторы устанавливаются на специальные радиаторы, предназначенные для отвода тепла от корпуса транзистора.

Зная расположение коллектора, базу и эмиттер определить будет легко.
Удачи!

Читайте также: